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圖片信息

基本技術信息：

電子器件型號：DMG3415UFY4-7

原始制造廠商：Diodes，美臺半導體

技術標準參數：MOSFET P-CH 16V 2.5A DFN2015H4-3

產品應用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

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技術參數詳解：

制造商產品型號：DMG3415UFY4-7

制造商：Diodes Incorporated

描述：MOSFET P-CH 16V 2.5A DFN2015H4-3

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

產品系列：-

零件狀態：停產

FET類型：P 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：16V

25°C時電流-連續漏極(Id)：2.5A（Ta）

驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.8V，4.5V

不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：39 毫歐 @ 4A，4.5V

不同Id時Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：10nC @ 4.5V

Vgs（最大值）：±8V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：281.9pF @ 10V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：400mW（Ta）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

器件封裝：DFN2015H4-3

DMG3415UFY4-7均從Diodes代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨，確保原裝正品！

Diodes

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