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圖片信息

基本技術信息：

電子器件型號：FDB14AN06LA0_F085

技術標準參數：MOSFET N-CH 60V 67A D2PAK

產品應用分類：單端場效應管

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技術參數詳解：

制造商產品型號：FDB14AN06LA0_F085

制造廠家名稱：Fairchild 仙童半導體（已被ON安森美收購）

描述：MOSFET N-CH 60V 67A D2PAK

系列：PowerTrench

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss)：60V

電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：67A（Tc）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：11.6 毫歐 @ 67A，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：31nC @ 5V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：2900pF @ 25V

功率 - 最大值：125W

安裝類型：表面貼裝

產品封裝：TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應商器件封裝：TO-263

FDB14AN06LA0_F085均從Fairchild代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨，確保原裝正品！

Fairchild

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