深圳市南皇電子有限公司長期提供IPB036N12N3 G（品牌: Infineon）充足現貨訂購、免費樣品
技術參數詳解：
Infineon英飛凌公司完整型號：IPB036N12N3 G制造廠家名稱：Infineon Technologies描述：MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7系列：OptiMOS?FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：標準漏源極電壓 (Vdss)：120V電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：180A（Tc）不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：3.6 毫歐 @ 100A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 270μA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：211nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：13800pF @ 60V功率 - 最大值：300W安裝類型：表面貼裝封裝/外殼：TO-263-7，D2Pak（6 引線+接片），TO-263CB供應商器件封裝：PG-TO263-7IPB036N12N3 G均從Infineon代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨，確保原裝正品！
