深圳市南皇電子有限公司長期提供APTM120DA30CT1G（品牌: Microsemi）充足現貨訂購、免費樣品
技術參數詳解：
Microsemi美高森美完整型號：APTM120DA30CT1G制造廠家名稱：Microsemi Power Products Group描述：MOSFET N-CH 1200V 31A SP1系列：POWER MOS 8?FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：標準漏源極電壓 (Vdss)：1200V（1.2kV）電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：31A（Tc）不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：360 毫歐 @ 25A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 2.5mA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：560nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：14560pF @ 25V功率 - 最大值：657W安裝類型：底座安裝封裝/外殼：SP1供應商器件封裝：SP1APTM120DA30CT1G均從Microsemi代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨，確保原裝正品！
