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圖片信息
NTD4806N-35G圖片
基本技術信息:
  • 電子器件型號:NTD4806N-35G
  • 原始制造廠商:ON,ON安森美半導體
  • 技術標準參數:MOSFET N-CH 30V 11.3A/79A IPAK
  • 產品應用分類:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
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  • 技術參數詳解:
  • 制造商產品型號:NTD4806N-35G
  • 制造商:ON Semiconductor
  • 描述:MOSFET N-CH 30V 11.3A/79A IPAK
  • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
  • 產品系列:-
  • 零件狀態:停產
  • FET類型:N 通道
  • 技術:MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源電壓(Vdss):30V
  • 25°C時電流-連續漏極(Id):11.3A(Ta),79A(Tc)
  • 驅動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,11.5V
  • 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):6 毫歐 @ 30A,10V
  • 不同Id時Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA
  • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):23nC @ 4.5V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):2142pF @ 12V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):1.4W(Ta),68W(Tc)
  • 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安裝類型:通孔
  • 器件封裝:I-PAK
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