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深圳市南皇電子有限公司長(zhǎng)期提供K4T1G163QJ-BI（品牌: Samsung）充足現(xiàn)貨訂購、免費(fèi)樣品

K4T1G163QJ-BI - 南皇電子長(zhǎng)期提供競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)格、訂貨及技術(shù)支持，三星半導(dǎo)體代理穩(wěn)定貨源。

圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號(hào)：K4T1G163QJ-BI

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：SAMSUNG DRAM NAND

產(chǎn)品應(yīng)用分類：雙倍數(shù)據(jù)率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器

現(xiàn)貨供應(yīng)，最快當(dāng)日出貨，滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購需求！

技術(shù)參數(shù)詳解：

三星芯片型號(hào)：K4T1G163QJ-BI

制造商：SAMSUNG（三星半導(dǎo)體）

功能類別：雙倍數(shù)據(jù)率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器

容量：1Gb

架構(gòu)：64M x 16

速率：1066 Mbps

工作電壓：1.8 V

工作溫度：-40 ~ 95 °C

封裝：84FBGA

產(chǎn)品狀態(tài)：批量生產(chǎn)

K4T1G163QJ-BI均從三星半導(dǎo)體代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購，長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！

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