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圖片信息
SI8275DBD-IS1R圖片
基本技術信息:
  • 電子器件型號:SI8275DBD-IS1R
  • 原始制造廠商:Silicon Labs
  • 技術標準參數:4A 2.5 KV HIGH CMTI DUAL GATE DR
  • 產品應用分類:隔離器 - 柵極驅動器
  • 點擊此處下載SI8275DBD-IS1R的原廠技術規格手冊Datasheet(PDF文件)
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  • 技術參數詳解:
  • 制造商產品型號:SI8275DBD-IS1R
  • 制造商:Silicon Labs
  • 描述:4A 2.5 KV HIGH CMTI DUAL GATE DR
  • 系列:隔離器 - 柵極驅動器
  • 產品系列:Automotive, AEC-Q100
  • 零件狀態:有源
  • 技術:容性耦合
  • 通道數:2
  • 電壓-隔離:2500Vrms
  • 共模瞬變抗擾度(最小值):200kV/μs
  • 傳播延遲tpLH/tpHL(最大值):75ns,75ns
  • 脈寬失真(最大):8ns
  • 上升/下降時間(典型值):10.5ns,13.3ns
  • 電流-輸出高、低:1.8A,4A
  • 電流-峰值輸出:4A
  • 電壓-正向(Vf)(典型值):-
  • 電流-DC正向(If)(最大值):-
  • 電壓-?輸出供電:4.2V ~ 30V
  • 工作溫度:-40°C ~ 125°C
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 封裝:16-SOIC(0.154,3.90mm 寬)
  • 供應商器件封裝:16-SOIC
  • SI8275DBD-IS1R均從Silicon Labs代理或經過認證的可靠渠道采購,長期充足現貨,確保原裝正品!
  • 時刻努力成為您值得信賴的IC供應商
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