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深圳市南皇電子有限公司長期提供CSD18563Q5A（品牌: TI）充足現(xiàn)貨訂購、免費(fèi)樣品

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圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號(hào)：CSD18563Q5A

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON

產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)

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技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號(hào)：CSD18563Q5A

制造商：Texas Instruments

描述：MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)

產(chǎn)品系列：NexFET?

零件狀態(tài)：有源

FET類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：60V

25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：100A（Ta）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V

不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：6.8mOhm @ 18A、 10V

不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 250μA

不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：20nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：1500pF @ 30V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：3.2W（Ta），116W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

器件封裝：8-VSONP（5x6）

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