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圖片信息

基本技術信息：

電子器件型號：2SK3879(TE24L,Q)

技術標準參數：MOSFET N-CH 800V 6.5A TO220SM

產品應用分類：單端場效應管

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技術參數詳解：

東芝半導體公司完整型號：2SK3879(TE24L,Q)

制造廠家名稱：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：MOSFET N-CH 800V 6.5A TO220SM

系列：-

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：標準

漏源極電壓 (Vdss)：800V

電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：6.5A（Ta）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：1.7 歐姆 @ 3.5A，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：35nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1500pF @ 25V

功率 - 最大值：80W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應商器件封裝：TO-220SM

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