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深圳市南皇電子有限公司長期提供GT30J121(Q)（品牌: Toshiba）充足現(xiàn)貨訂購、免費樣品

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GT30J121(Q) - 南皇電子長期提供競爭力的價格、訂貨及技術(shù)支持，Toshiba代理穩(wěn)定貨源。

圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號：GT30J121(Q)

原始制造廠商：Toshiba，東芝半導體

技術(shù)標準參數(shù)：IGBT 600V 30A 170W TO3PN

產(chǎn)品應用分類：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

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技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號：GT30J121(Q)

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：IGBT 600V 30A 170W TO3PN

系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

產(chǎn)品系列：*

零件狀態(tài)：有源

IGBT類型：-

電壓-集射極擊穿（最大值）：600V

電流-集電極(Ic)（最大值）：30A

電流-集電極脈沖(Icm)：60A

不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.45V @ 15V，30A

功率-最大值：170W

開關(guān)能量：1mJ（開），800μJ（關(guān)）

輸入類型：標準

柵極電荷：-

25°C時Td（開/關(guān)）值：90ns/300ns

測試條件：300V，30A，24 歐姆，15V

反向恢復時間(trr)：-

工作溫度：-

安裝類型：通孔

封裝：TO-3P-3，SC-65-3

GT30J121(Q)均從Toshiba代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！

質(zhì)量是南皇電子從眾多競爭對手中脫穎而出的關(guān)鍵因數(shù)

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