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圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號：TJ60S06M3L(T6L1,NQ

原始制造廠商：Toshiba，東芝半導(dǎo)體

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：MOSFET P-CH 60V 60A DPAK

產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

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技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號：TJ60S06M3L(T6L1,NQ

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：MOSFET P-CH 60V 60A DPAK

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

產(chǎn)品系列：U-MOSVI

零件狀態(tài)：有源

FET類型：P 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：60V

25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：60A（Ta）

驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：6V，10V

不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻（最大值）：11.2 毫歐 @ 30A，10V

不同Id時Vgs(th)（最大值）：3V @ 1mA

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：156nC @ 10V

Vgs（最大值）：+10V，-20V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：7760pF @ 10V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：100W（Tc）

工作溫度：175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

器件封裝：DPAK+

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