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圖片信息
SIHH11N65E-T1-GE3圖片
基本技術信息:
  • 電子器件型號:SIHH11N65E-T1-GE3
  • 原始制造廠商:Vishay,威世
  • 技術標準參數:MOSFET N-CH 650V 12A PPAK 8 X 8
  • 產品應用分類:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
  • 點擊此處下載SIHH11N65E-T1-GE3的原廠技術規格手冊Datasheet(PDF文件)
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  • 技術參數詳解:
  • 制造商產品型號:SIHH11N65E-T1-GE3
  • 制造商:Vishay Siliconix
  • 描述:MOSFET N-CH 650V 12A PPAK 8 X 8
  • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
  • 產品系列:-
  • 零件狀態:有源
  • FET類型:N 通道
  • 技術:MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源電壓(Vdss):650V
  • 25°C時電流-連續漏極(Id):12A(Tc)
  • 驅動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
  • 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):363毫歐 @ 6A,10V
  • 不同Id時Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
  • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):68nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±30V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):1257pF @ 100V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):130W(Tc)
  • 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 器件封裝:PowerPAK? 8 x 8
  • SIHH11N65E-T1-GE3均從Vishay代理或經過認證的可靠渠道采購,長期充足現貨,確保原裝正品!
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