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圖片信息

基本技術信息：

電子器件型號：SIR846BDP-T1-RE3

原始制造廠商：Vishay，威世

技術標準參數：MOSFET N-CH 100V 16.1A/65.8 PPAK

產品應用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

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技術參數詳解：

制造商產品型號：SIR846BDP-T1-RE3

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 100V 16.1A/65.8 PPAK

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

產品系列：TrenchFET? Gen IV

零件狀態：有源

FET類型：N 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：100V

25°C時電流-連續漏極(Id)：16.1A（Ta），65.8（Tc）

驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：7.5V，10V

不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：8 毫歐 @ 15A，10V

不同Id時Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：52nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：2440pF @ 50V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：5W（Ta），83.3W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

器件封裝：PowerPAK? SO-8

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