氮化鎵 (GaN) 功率集成電路 (IC) 的行業領導者Navitas Semiconductor宣布，其采用 GaNSense 技術的 GaNFast 功率 IC已升級以提高效率，功率密度，并進入更多的快速充電器市場。
GaN是下一代半導體技術，其運行速度比傳統硅快 20 倍，功率增加 3 倍，節能 40%，充電速度提高 3 倍，而尺寸和重量減半。GaNFast 功率 IC 集成了 GaN 功率和驅動以及保護和控制，以提供簡單、小型、快速和高效的性能。超過 3000 萬個 GaNFast 電源 IC 已發貨，報告的現場故障為零。
采用 GaNSense 的 NV613x 和 NV615x GaNFast 電源 IC 的“額定電壓”已從 650V 升級到 700V，以實現連續運行，額定電壓為 800V，適用于瞬態條件。更高的額定電壓可實現更高效的電力變壓器電路設計，并為世界上具有不可靠、變化廣泛且具有極端電壓尖峰的電網的地區提供更高的功能。自主系統級監控和反應確保在 30 ns 內“檢測和保護”——比離散實施快 10 倍。
“GaNFast 功率 IC 已經在移動快速充電器市場提供了最高的可靠性和最高的性能，”Navitas 的首席運營官/首席技術官兼聯合創始人 Dan Kinzer 說。“Navitas 的工程、質量和應用團隊繼續提供領先的下一代技術，采用經過驗證的數據驅動方法，使客戶能夠在電源轉換和快速充電器設計方面進行積極創新，并進入擴大的市場我們世界的更多領域。”
更新的數據表和可靠性報告可根據 NDA 立即提供給客戶和設計合作伙伴。
有關樣品、詳細規格、價格和交貨報價及更多信息，請聯系當地的Navitas代理商進行詢問。
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