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意法半導(dǎo)體推出400萬(wàn)次擦寫(xiě)操作的EEPROM
意法半導(dǎo)體推出最新EEPROM系列產(chǎn)品。新產(chǎn)品保證400萬(wàn)次擦寫(xiě)操作，而競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品只提供100萬(wàn)次擦寫(xiě)操作。意法半導(dǎo)體的新產(chǎn)品支持更高的存儲(chǔ)數(shù)據(jù)更新頻率，延長(zhǎng)系統(tǒng)在高溫條件下的壽命，為設(shè)計(jì)人員帶來(lái)了更大的設(shè)計(jì)自由空間。
EEPROM提高耐寫(xiě)性能的關(guān)鍵技術(shù)是意法半導(dǎo)體先進(jìn)的CMOSF8H 0.15 洀制程。此次推出的新產(chǎn)品包括工業(yè)級(jí)和汽車(chē)級(jí)EEPROM，在25°C條件下，耐寫(xiě)性能為每字節(jié)400萬(wàn)次;在150°C條件下，耐寫(xiě)性能為每字節(jié)40萬(wàn)次。總耐寫(xiě)性能為10億次，數(shù)據(jù)保存期限為200年(55°C)。
增強(qiáng)的耐寫(xiě)性能和延長(zhǎng)的數(shù)據(jù)保存期限有助于簡(jiǎn)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)，可保存需要經(jīng)常更新的數(shù)據(jù)以及變化較慢的參數(shù)，避免使用為延長(zhǎng)標(biāo)準(zhǔn)EEPROM壽命而耗費(fèi)存儲(chǔ)容量的解決方案。此外，總耐寫(xiě)性能使其可用于汽車(chē)或醫(yī)療等因?yàn)榄h(huán)境條件變化而需要經(jīng)常更新重要參數(shù)的應(yīng)用(數(shù)據(jù)記錄)。
樣片現(xiàn)已上市，意法半導(dǎo)體開(kāi)始接受量產(chǎn)訂單。
EEPROM提高耐寫(xiě)性能的關(guān)鍵技術(shù)是意法半導(dǎo)體先進(jìn)的CMOSF8H 0.15 洀制程。此次推出的新產(chǎn)品包括工業(yè)級(jí)和汽車(chē)級(jí)EEPROM，在25°C條件下，耐寫(xiě)性能為每字節(jié)400萬(wàn)次;在150°C條件下，耐寫(xiě)性能為每字節(jié)40萬(wàn)次。總耐寫(xiě)性能為10億次，數(shù)據(jù)保存期限為200年(55°C)。
增強(qiáng)的耐寫(xiě)性能和延長(zhǎng)的數(shù)據(jù)保存期限有助于簡(jiǎn)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)，可保存需要經(jīng)常更新的數(shù)據(jù)以及變化較慢的參數(shù)，避免使用為延長(zhǎng)標(biāo)準(zhǔn)EEPROM壽命而耗費(fèi)存儲(chǔ)容量的解決方案。此外，總耐寫(xiě)性能使其可用于汽車(chē)或醫(yī)療等因?yàn)榄h(huán)境條件變化而需要經(jīng)常更新重要參數(shù)的應(yīng)用(數(shù)據(jù)記錄)。
樣片現(xiàn)已上市，意法半導(dǎo)體開(kāi)始接受量產(chǎn)訂單。
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更多IC電子元器件制造商行業(yè)動(dòng)態(tài)（2025年3月12日更新）
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