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Transphorm Inc - 設(shè)計和制造符合 JEDEC 和 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)的氮化鎵 (GaN) 場效應(yīng)晶體管 (FET)，用于高壓功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用 - 表示功率半導(dǎo)體產(chǎn)品美國德克薩斯州普萊諾的供應(yīng)商 Diodes Inc 推出了使用其 SuperGaN FET 的完整 130W USB Type-C 供電 (PD) 3.0 適配器評估和開發(fā)套件。

該套件將 Diodes 的高性能有源鉗位反激 (ACF) 控制器與 Transphorm 的具有輸入功率因數(shù)校正 (PFC) 的專利常關(guān)型 SuperGaN Gen IV 器件配對。與增強型 GaN 和基于硅的系統(tǒng)相比，由此產(chǎn)生的解決方案提供了低待機功耗、更高效率、據(jù)稱是前所未有的熱性能以及最優(yōu)的系統(tǒng)材料清單 (BOM) 成本。它超過了 DOE VI 和 COC Tier 2 能效要求，并允許提高功率密度。

Diodes 的 ACF 解決方案旨在利用配置中的下一代電源轉(zhuǎn)換技術(shù)，在 USB PD 充電應(yīng)用中提供比傳統(tǒng)反激系統(tǒng)更高的性能和顯著低于半橋諧振 LLC 解決方案的成本。據(jù)估計，新的 130W ACF SuperGaN 套件也不例外，可以輕松快速地評估先進技術(shù)，同時加快上市時間。能力包括：高功率峰值效率（>93.5%）；高功率因數(shù)（>0.90 超過 60% 負(fù)載）；超低總諧波失真 (THD)（<18% over line over 60% load）；低待機功率（<43mW）；和最低開關(guān)溫度（<75°C）。

該套件使用三個主要的 Diodes 控制器和兩個 Transphorm 的 SuperGaN FET：

AP3306：高度集成的ACF控制器，專為超低待機功耗和高功率密度要求而設(shè)計，并具有全面的保護機制；

APR340：用于二次側(cè)同步整流的MOSFET驅(qū)動器；

AP43771V：USB Type-C PD3.0 解碼器，具有開/關(guān) N 溝道 MOSFET 控制和強大的保護功能；和

TP65H150G4LSG 器件：SuperGaN 650V、150mΩ FET，分別用于 PFC 控制和 ACF 控制級。

“Diodes 的 AP3306 ACF 控制器為 45W 至 140W 的各種電源適配器提供高集成度、低待機功耗、最佳系統(tǒng)成本和多功能保護，而我們的 AP43771V USB-PD 控制器提供 PPS 具有一個具有虛擬多Diodes 的 ACDC 電源與照明 (APL) 部門經(jīng)理 Ernest Lin 表示，該區(qū)域可用于定制，支持不同的快速充電器功率配置文件。“Transphorm 的 SuperGaN 技術(shù)使我們能夠提供最高效率、最低器件溫度和最終高功率密度的適配器系統(tǒng)，該系統(tǒng)易于驅(qū)動，無需任何額外的驅(qū)動器或復(fù)雜的接口，”他補充道。

“Diodes 是 USB-PD 適配器市場中多個控制器的創(chuàng)新者和供應(yīng)商，其開發(fā)套件是一個寶貴的機會，可幫助客戶快速實現(xiàn) GaN 電源轉(zhuǎn)換為高性能筆記本電腦帶來的好處，”副總裁 Tushar Dhayagude 評論道。技術(shù)銷售和現(xiàn)場應(yīng)用，Transphorm。“適配器市場才剛剛開始通過先進的 ACF 拓?fù)鋵崿F(xiàn)功率和成本節(jié)約，因為我們看到更多大于 100W 的充電器進入市場，”他補充道。“Transphorm 的 SuperGaN FET 結(jié)合了最高效率、簡單的設(shè)計和可驅(qū)動性以及市場上最強大和最高的柵極抗噪能力。”

簡單易用的 130W USB PD ACF 套件允許制造商快速定制和實施具有 USB-C、PPS 和多協(xié)議配置的 90W 至 150W 適配器設(shè)計。該套件現(xiàn)可根據(jù) Diodes 的要求提供。

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